我在现实世界加点修行正文卷360徒手搓晶圆“小刘,小邹,你们确实没有在糊弄我?”林刚把话说完,就感觉自己有些冒失了。
因为视频里的两人都是那处航天基地中出来的。
就拿刘成栋而言,他本人是基地的二把手,论起职位级别比林卫国这个光电所的所长还要高上那么一头。
林卫国也是仗着年龄大,资历老,才会喊对方一声小刘。
至于另一位邹颖就更不必说了,她是基地中的技术部门负责人,经常会与光电所这样的兄弟单位进行合作交流,对彼此的情况也非常熟悉。
就拿最先研发投产的虚拟投影腕表而言,里面几项核心技术就是采用了光电所的技术储备。
从这样两个位高职重的“熟人”口中得知了制造原子级别精度光刻机的事情,林卫国的心中就不免起了几分将信将疑的心思。
没办法,谁让这两人提到的原子级别的精度实在是太匪夷所思了一点!
说到这,就不得不先简单提一下芯片制造的整个流程:晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。
而其中最为关键的技术步骤,就是光刻。
什么是光刻?
简单点理解就是通过特殊波动的光线将设计好的电路图案“印刷”到晶圆上。
现目前市面上主流的光刻机,按照制程范围可以分两种:一种是通过准分子激光,将193纳米光源进行折射的DUV光刻机。
DUV光刻机基本只能做到25纳米级别,像著名的因特尔公司就采用双工作台的魔改方式将DUV光刻机的精度做到10纳米,但是无法达到10纳米以下。
不过DUV光刻已经是过去式,另外一种更加先进的EUV光刻机,采取的是等离子激光发射,它能发射的光源光波波长能达到13.5纳米。
在这个曝光精度区间下,一些先进点的晶圆大厂利用多层曝光的手段,亦或是多工作平台的叠加,大幅度提升分辨率,让曝光刻蚀的电路精度级别得到数倍的提升,从而产出7纳米甚至更高级别的5纳米芯片。
但是这样的取巧方法带来的结果就是,最终晶圆流片的良品率偏低,进而导致芯片制造成本的成倍上升。
这也是为何,高端芯片的价格始终居高不下。
想要解决这个问题,就必须不断提升光刻机的曝光精度,改善芯片的制造工艺。
那么陈决提出的0.1纳米精度是什么概念?
就目前人类掌握的精度级别,别说是国内的这些光电所和那些半路出家的半导体研发企业了,就算交给整个行业龙头的风车国ASML公司都得耗费上几十年、甚至半个世纪去追赶。
一旦拿到这样精度级别的光刻母机,别说什么7纳米、5纳米芯片了,就算规格、性能再提升百倍、千倍的芯片都能分分钟造出来。
这也是为何林卫国在听到这个消息后,会表现地如此震惊,实在是因为基地这边的这颗“卫星”放地太大了一些。
……
“林所,这么重大的事情,我们哪敢忽悠您啊!”
“就是这里头涉及到的一些机密技术,不太方面在视频里说。”
“您老要是不放心,就抓紧带一批制造光刻母机的原材料过来!数量越多越好,过了这村可就没这个店了!”刘成栋在视频电话里颇为焦急地说道。
请收藏:https://m.yueruhuo.cc
(温馨提示:请关闭畅读或阅读模式,否则内容无法正常显示)